12月20日消息，路透社報道稱，三星電子表示，其已開發(fā)出全球最小的動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)芯片，較競爭對手的技術(shù)領先優(yōu)勢擴大。

三星電子稱使用第二代10納米級工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片，第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

受半導體業(yè)務帶動，該公司今年營業(yè)利潤料創(chuàng)下紀錄高位。

三星在聲明中稱，“第二代”10納米級8Gb DRAM芯片的功耗和數(shù)據(jù)處理性能均改善，將用于云計算中心、移動設備和高速顯卡等高端數(shù)據(jù)處理電子產(chǎn)品。

三星稱，將在2018年把多數(shù)現(xiàn)有DRAM生產(chǎn)轉(zhuǎn)為10納米級芯片。該公司在電腦芯片、電視和智能手機行業(yè)全球領先。

三星電子記憶芯片部門(Memory Business)總裁Gyoyoung Jin稱，這一“積極的”生產(chǎn)擴張，將“適應市場的旺盛需求。”

三星電子在10月底任命了半導體等三個主要業(yè)務部門新一代高管后，稱，眼下不會尋求擴大芯片出貨，但著重于投資，以維護長期市場地位。

（來源：騰訊科技）