IT之家 2 月 23 日消息，英特爾昨天更新了其半導(dǎo)體 Foundry 相關(guān)頁面的介紹，并宣布其“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”（現(xiàn)在是四個(gè)節(jié)點(diǎn)了）計(jì)劃中最后也是最為重要的 Intel 18A 工藝準(zhǔn)備就緒，計(jì)劃于今年上半年開始流片。

18A 制程的成熟標(biāo)志著英特爾 IDM 2.0 戰(zhàn)略的重大突破，同時(shí)被視為英特爾代工服務(wù)（IFS）重鑄往日榮光的關(guān)鍵信號，對于已經(jīng)退休的英特爾前 CEO Pat Gelsinger 來說絕對是好消息。

就目前已知信息，英特爾下一代移動處理器 Panther Lake 至少有一部分將基于 Intel 18A 工藝制造。

英特爾表示，Panther Lake 芯片計(jì)劃于今年下半年發(fā)布并投產(chǎn)，不過 Intel 18A 初期產(chǎn)能有限，所以搭載該芯片的筆記本電腦預(yù)計(jì)要等到 2026 年才會大批量上市。

此外，英特爾將于 2026 年推出下一代 Nova Lake 桌面處理器。這兩款產(chǎn)品承載了英特爾復(fù)興的希望，英特爾認(rèn)為它們的到來將顯著改善該公司的收入情況。

英特爾還計(jì)劃在明年上半年推出的首款基于 Intel 18A 的服務(wù)器產(chǎn)品 Clearwater Forest（最初計(jì)劃 2025 年發(fā)布）。英特爾表示，今年的主題是提高“至強(qiáng)”的市場競爭地位，從而努力縮小與競爭對手的差距。

說回 Intel 18A 工藝，英特爾稱其采用了業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，以及 RibbonFET 全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，相較于 Intel 3 工藝密度提升 30%、單位功耗性能提升 15%。

據(jù)行業(yè)分析，其 SRAM 密度已與臺積電 N2 制程持平，甚至在功耗和性能平衡把控方面更具競爭優(yōu)勢。

IT之家從官方獲悉，PowerVia 背面供電技術(shù)通過將供電層與信號層分離，實(shí)現(xiàn)芯片密度和單元利用率提升 5%-10%。相比傳統(tǒng)正面供電設(shè)計(jì)，其電阻壓降（IR Drop）顯著降低，在相同功耗條件下可實(shí)現(xiàn)最高 4% 的性能提升。

RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)采用納米帶（Nanoribbon）結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對電流的精確控制，可在芯片元件微縮化進(jìn)程中有效降低漏電率，有效緩解高密度芯片的功耗問題。

英特爾表示，Intel 18A 技術(shù)作為 IFS 的核心競爭力，憑借多項(xiàng)突破性創(chuàng)新，將成為北美地區(qū)首個(gè)量產(chǎn)落地的 2nm 以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，為全球客戶提供供應(yīng)鏈多元化選擇。